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短波红外探测器
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产 品: 浏览次数:6短波红外探测器 
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所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2024-06-28 14:52
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详细信息

LD-FPA-320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器

320x256分辨率铟镓砷InGaAs探测器

InGaAs短波焦平面探测器产品应用在近红外成像和光谱技术成像上,包括非制冷型(无TEC)和制冷型(TEC)型。产品应用稳定成熟的工艺,并已实现量产。该产品选用常规封装,便于CCD与CMOS相机集成商的机械设备;集成嵌入式TEC进一步提高了探测器的灵敏度,并通过密闭金属封装来实现其高可靠性。

产品型号

InGaAs面阵探测器的响应波段为900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合,同时采用LCC及Kovar气密封装,且表面镀有抗反射膜。我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。


型号

FPA-320×256-C

FPA-320×256-K-TE1/TE2

FPA-320×256-K-2.2-TE2

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

响应波段

0.9um-1.7um

0.9um-1.7um

1.2um-2.2um

图像分辨率

320×256

320×256

320×256

像元尺寸

30um

30um

30um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

封装

44-pin CLCC

28-pin MDIP

28-pin MDIP

重量

1.6g

24.6g/25.6g

24.6g

有效像元率

>99.5%

>99%

>97%

暗电流

<0.4pA

≤0.4pA

≤10pA

量子效率

70%

70%

70%

填充率

99%

99%

99%

串扰

1%

1%

/

探测率

≥5×1012J

≥5×1012J (TE1)

7.5×1012J(TE2)

1012J

响应非均匀性

10%

10%

≤40%

非线性(z大偏差)

≤2%

≤2%

≤2%

z大像素率

10MHz

10MHz

10MHz

增益

High:13.3uV/e- Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

High:13.3uV/e-

Low:0.7 uV/e-

满阱容量

High:170Ke- Low:3.5Me-

High:170Ke- Low:3.5Me-

High:170Ke- Low:3.5Me-

TEC 制冷

TE1/TE2

TE1/TE2

工作温度

-20℃—85℃

-20℃—85℃

-20℃—85℃

储存温度

-40℃—85℃

-40℃—85℃

-40℃—85℃

功耗

175mw

175mw**

175mw**










































更多详情咨询:

https://www.chem17.com/st336911/product_25248271.html 
http://www.leadingoe.net/Products-25248271.html 

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